Fotodiodo de avalancha APD (Diodos PIN y APD de InGaAs 3G para OTDR)
Fotodiodo de avalancha APD (DiodosPIN y APD de InGaAs 3G para OTDR)
Los fotodiodos de avalancha APD (Diodos PIN y APD de InGaAs 3G para OTDR) sonfotodetectores de unión p-n de silicio o germanio. Mediante la aplicación de una tensión depolarización inversa de la unión p-n, los fotones de la luz incidente golpean alos electrones para pasarlos a través de la unión convirtiéndose en flujos decorriente fotoeléctrica. Cuando la tensión inversa aplicada aumenta, seproducirán flujos de corriente de avalancha. El efecto de la avalanchade la corriente portadora puede ser utilizado para amplificar la señalfotoeléctrica en el sistema de detección con el fin de mejorar la sensibilidaddel detector.
Esta serie de fotodiodo tiene como características una baja corriente deoscuridad, voltaje de funcionamiento bajo y alta sensibilidad. Puede funcionaren el modo de salida de impulsos o en el modo de salida de corriente continua.El producto se utiliza comúnmente en sistemas de transmisión a larga distancia,sistemas OTDR y en equipos de detección del sistema de retrodispersión Raman.
Diodos PIN yAPD de InGaAs 3G de impulsos para sistemas OTDR
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Característicasópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad | Notas |
| Tensión inversa de ruptura | VBR | 50 | 70 | 100 | V | ID = 100 μA |
| Coeficiente de temperatura de la tensión inversa de ruptura 1 | δ |
| 0.2 |
| %/°C |
|
| Corriente de oscuridad | ID |
| 5 | 25 | nA | VR = VBR x 0.9 |
| Corriente de oscuridad multiplicada | IDM |
| 1 | 5 | nA | M = 2 to 10 |
| Capacitancia terminal | Ct |
| 0.35 | 0.60 | pF | VR = VBR x 0.9, f = 1 MHz |
| Frecuencia de corte | fC | 2.5 |
|
| GHz | M = 10 |
| Eficiencia cuántica | η | 76 | 90 |
| % | λ = 1310 nm, M = 1 |
| 65 | 77 |
| λ = 1550 nm, M = 1 | |||
| Responsividad | S | 0.80 | 0.94 |
| A/W | λ = 1310 nm, M = 1 |
| 0.81 | 0.96 |
| λ = 1550 nm, M = 1 | |||
| Factor de multiplicación | M | 30 | 40 |
| M | λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA , VR = V (at ID = 1 μA ) |
| Factor de exceso de ruido | X |
| 0.7 |
| - | λ = 1310 nm, IPO = 1.0 μA , M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz |
| F |
| 5 |
| λ = 1550 nm, IPO = 1.0 μA , M = 10, f = 35 MHz, B = 1 MHz | ||
| Pérdida de retorno óptico | ORL | 30 |
|
| dB | SMF |
Nombres Relacionados
Fotodetector de avalancha | Componente láser para sistemas de comunicación delarga distancia | Dispositivo semiconductor de alta sensibilidad
