Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)
Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)
El diodo láser de pulso FP (Para sistemas OTDR) puede operar tanto concorriente directa como en modo pulsado. Presenta ventajas tales como baja corriente umbral, gran eficiencia de salida ygran capacidad de transmisión de corriente. Esta serie de producto puede ser suministrada salida de fibra óptica multimodo opcional. Se utiliza principalmente en sistemasOTDR así como en sistemas de prueba y de comunicación basados en laretrodispersión Raman.
1. Diodo láser de pulso para sistemas OTDR de 1310nm
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Esquema del conjunto：
2. Módulo láser de pulso para sistemas OTDR de 2.5G1490nm
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Característicasópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad | Notas |
| Voltaje de fase | VFP |
|
| 3.5 | V | IFP = 550 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% |
| Corriente umbral | Ith |
| 45 | 65 | mA | PW = 10 μs, Duty = 1% |
| Potencia de salida óptica de la fibra | Pf | 60 | 70 |
| mW | IFP =550 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% |
| Longitud de onda central | λC | 1470 | 1490 | 1510 | nm | RMS (−20 dB), IFP = 550 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% |
| Ancho espectral | σ |
| 5 | 10 | nm | RMS (−20 dB), IFP =550 mA, PW = 10 μs, Duty = 1% |
| Tiempo de subida | tr |
| 0.5 | 2 | ns | 10-90% |
| Tiempo de caída | tf |
| 0.5 | 2 | ns | 90-10% |
| Monitor de corriente | Im | 0.05 |
| 2 | mA | IFP =550 mA,PW = 10 μs, Duty = 1% , VRM = 2 V |
3. Módulos láser de pulso para sistemas OTDR de 1MW-100MW 1550nm
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Característicasópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mín. | Tipo | Máx. | Unidad | Notas |
| Voltaje de fase | VFP |
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