Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR) Fabricante

Diodo láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR)

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El diodo láser de pulso FP (Para sistemas OTDR) puede operar tanto con corriente directa como en modo pulsado. Presenta ventajas tales como baja corriente umbral, gran eficiencia de salida y gran capacidad de transmisión de corriente. Esta serie de producto puede ser suministrada salida de fibra óptica multimodo opcional. Se utiliza principalmente en sistemas OTDR así como en sistemas de prueba y de comunicación basados en la retrodispersión Raman.

Características

Alta potencia de salida Pf = 60 mW @ IFP = 400mA
Longitud de onda larga λC = 1550 nm
Monitor PD incorporado
Condiciones pulsadas: Ancho pulsado (PW) = 10 μs, Operación = 1%

Aplicaciones

Detección
Telémetro láser

Calificaciones máximas absolutas

Parámetros	Símbolo	Min.	Max.	Unidad
Corriente de avance pulsada	IFP	-	750	mA
Voltaje inverso	VR	-	2	V
Voltaje inverso (monitor PD)	VRM	-	10	V
Corriente inversa (monitor PD)	IFPM	-	2	mA
Temperatura del caso de operación	TC	0	60	℃
Temperatura de almacenamiento	Tstg	-40	85	℃
Temperatura de soldadura por plomo	Tsld	-	260(10s)	℃
Humedad relativa (sin condensación)	RH	-	85	%

Características ópticas y eléctricas

Parámetro	Símbolol	Min.	Tip.	Max.	Unid	Notas
Voltaje de avance	VFP	-	-	3.5	V	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, Operación = 1%
Corriente umbral	Ith	-	20	35	mA
Potencia de salida óptica de fibra SM	Pf	60	-	-	mW	IFP =400 mA, PW = 10 μs, Operación = 1%
Longitud de onda central	λc	-N	1550	N	nm	PW = 10 μs, Operación = 1% ,N=1/2/3
Ancho espectral	σ	-	-	1	nm	RMS (−20dB)
Tiempo de subida	tr	-	0.2	0.5	ns	20-80%
Tiempo de caída	tf	-	0.2	0.5	ns	80-20%
Corriente del monitor	Im	0.05	-	-	mA	VRM = 5V

Descripción del pin

Esquema del paquete

Diodo láser de pulso para sistemas OTDR de 1310nm

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Esquema del conjunto

Módulo láser de pulso para sistemas OTDR de 1490nm

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Características ópticas y eléctricas

Parámetro	Símbolo	Mínimo	Típico	Máximo	Unidad	Observaciones
Voltaje en sentido directo	VFP			3.5	V	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral	Ith		20	35	mA
Potencia óptica de salida de la fibra	Pf	40	60		mW	IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central	λc	1470	1490	1510	nm	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral	σ			4	nm	RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso	tr		0.5	2.0	ns	10-90%
Tiempo de bajada	tf		0.5	2.0	ns	90-10%
Corriente del monitor	Im	0.05		2	mA	VRM = 5V

Módulos láser de pulso para sistemas OTDR de 1550nm

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Características ópticas y eléctricas

Parámetro	Símbolo	Mínimo	Típico	Máximo	Unidad	Observaciones
Voltaje en sentido directo	VFP			3.5	V	IFP = 450 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral	Ith		20	35	mA
Potencia óptica de salida de la fibra SM	Pf	60			mW	IFP =450 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central	λc	1530	1550	1570	nm	PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral	σ			4	nm	RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso	tr		0.5	2.0	ns	10-90%
Tiempo de bajada	tf		0.5	2.0	ns	90-10%
Corriente del monitor	Im	0.05		2	mA	VRM = 5V

Módulo de diodos láser de pulso para sistemas OTDR de 1650nm

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Our 1625nm pulse laser modules for OTDR is equipped with high power FP chip with low threshold current and high-efficiency output. Capable of affording high current, the pulsed laser module can operate in dual mode, pulse and direct current. The multi-mode fiber is optional. This laser diode is generally used in the communication and testing system employing OTDR and Raman light reflection principle.

Características ópticas y eléctricas

Parámetro	Símbolo	Mínimo	Típico	Máximo	Unidad	Observaciones
Voltaje en sentido directo	VFP			3.0	V	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral	Ith		20	35	mA
Potencia óptica de salida de la fibra	Pf	40			mW	IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central	λc	1620	1625	1630	nm	IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral	σ			4	nm	RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso	tr		0.5	2.0	ns	10-90%
Tiempo de bajada	tf		0.5	2.0	ns	90-10%
Corriente del monitor	Im	0.05		2	mA	VRM =5 V

Módulo de diodos láser 30MW 1650nm para OTDR

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Características ópticas y eléctricas

Parámetro	Símbolo	Mínimo	Típico	Máximo	Unidad	Observaciones
Voltaje en sentido directo	VFP			3	V	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Corriente umbral	Ith		20	35	mA
Potencia óptica de salida de la fibra	Pf	30			mW	IFP =400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Longitud de onda central	λC	1645	1650	1655	nm	IFP = 400 mA, PW = 10 μs, rendimiento = 1%
Anchura espectral	σ			4	nm	RMS (−3 dB)
Tiempo de ascenso	tr		0.5	2	ns	10-90%
Tiempo de bajada	tf		0.5	2	ns	90-10%
Corriente del monitor	Im	0.05		2	mA	VRM =5 V

Como un fabricante y proveedor especializado en China de diodos láser de pulsos FP (Para sistemas OTDR), nuestra empresa también ofrece módulos láser tipo mariposa para detección de gas 8-28mw 1653.5nm, diodos láser tipo mariposa con fibra acoplada y más.

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